晶圆制造化学机械研磨简介!晶圆检查显微镜出售

“化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)”是进行多层导线架构时较重要的步骤。

由于线宽小、面积小、CMOS数目多是未来矽晶片发展的趋势，为了要满足这些条件就必须使用多层导线架构，

而多层导线架构中每一层都必须非常平坦，必须使用“化学机械研磨(CMP)”来将各层金属表面“磨平”，

因此化学机械研磨(CMP)成为各晶圆厂是否可以成功地跃进到0.13m(微米)甚至90nm(奈米)以下制程的重要关键。

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