试样金属研磨后使用金相/电子显微镜检测金相结构

探讨先进电子显微侦测技术于互补式金属氧化物半导体制程中的普遍应用。
在前段制程常出现的底层接触窗断线及部分断线进行成功检测，并针对成像的灰阶相对于断线程度进行比较，
并进而得其线性关系。对于90奈米或65奈米线径以下之前段制程常见之矽化镍成管状钻出之纵向分佈作了
深入的实验探讨。在65奈米线径以下前段制程常见之多晶矽闸极与其旁之接触窗短路之
侦测技术作一系列条件测试终能顺利测得。

后段制程常出现的底层通道断线及部分断线进行成功检测。
部分晶圆厂为了防止金属氧化而在金属研磨后再过了下一站沉积上一层氮化矽或渗碳氮化矽后才作电子显微镜检测
之侦测技术也作了实验探讨，并针对成像的灰阶相对于断线程度进行比较，并进而得其线性关系。
电子显微镜缺陷检测技术在应用上也有其限制。实验量化其受到电磁波干扰的现象。
另也做了实验证明在电子显微镜扫瞄后的晶片其下一站不应安排进行水洗。
对于某些条件可能会造成晶片被电弧破坏或造成污染也进行实验探讨

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