微影技术简介-晶圆制造检测显微镜
Lithography(微影)一字源自希腊文，其中litho-意指石头，而graphia-
是写的意思，原意为石雕术。在当今半导体积体电路(IC, Integrated Circuit)
制造技术上，微影技术定义为使用光束将光罩上的图案经透镜组件转移
至晶圆表面暂时涂布的光阻；光罩的透光区图像会使光阻照光后发生化
学变化，再经显影之后将图案转移至晶圆上的过程。
半导体制程技术中，这些层层相叠以及复杂的积体电路设计图案都必须经由微影技术层层地
精准定义，才能进行后续蚀刻、离子植布等制程，因此微影被视为半导体制造中的核心关键技术。
IC 制程的技术蓝图大致依循着Moore 所提出的定理：在一定面积的
晶圆面上电晶体的数量每隔两年会符合经济效益地增加两倍。
1 为达到符合元件密度增加的目的，则积体电路中层层架构的各维尺寸必须以约每
两年 0.7 倍地缩小。根据Rayleigh 方程式，
刻画架构图像的微影制程解析度(Resolution)，指的是可刻画出较小关键尺寸
现今的微影技术上，半导体厂DUV(Deep Ultraviolet, 此处指的是248
nm KrF 及193 nm ArF 光源)微影制程上所使用的光阻为化学放大型光阻，
主要用来吸收光源的能量基团为光酸产生剂(PAG, Photon Acid Generator)，
光酸产生剂经照光后吸收光子在成像区便会产生光酸，
再经照后烘烤的步骤进一步地进行去保护基的触媒式地化学放大型反应机制。光阻经去
保护基后的羧酸基化，进而可被显影去除
