以金相显微镜观察单晶LED元件的静电实验
单晶LED元件的静电实验结果分析
同样的传统低功率子弹型LED(Lamp LED)，食人鱼型LED(Piranha LED)，
经过静电放电测试后的LED单晶已被破坏，直接影响原有的静电耐受度而大幅衰减
及较难侦测出来的包含晶粒、封装体、金线、支架等的内部构造，
所以根据静电放电带给LED Chip 所形成的瑕疵分析利用金相显微镜深入观测探究，
先对还未执行实验的静电放电测试的子弹型LED(Lamp LED)输入电流20mA 点亮量测IV curve
，进行环氧树脂(Epoxy)打磨后正面分析
LED 溶解环氧树脂(Epoxy)后结构无异状，LED 溶解环氧树脂(Epoxy)后可正常点亮，
另对经过静电放电实验后进行检测溶解环氧树脂(Epoxy)前LED外观未发现有不良现象，
打磨后观察正常，环氧树脂(Epoxy)溶解后正面观察均为良好，
侧面观察良好，晶片放大观察，发现有击伤现象，将晶片局部放大观察，然而对食人鱼型LED 静电放
电实验进行量测有漏电之IV 特性曲线，
将失效晶片以金相显微镜观察静电放电(ESD)破坏而产生得焦黑现象，
针对逆向电流偏高使用雷射光束电阻异常检验仪(OBIRCH)分析漏电路径发现绿色光点为漏电位置针对绿色光点
为漏电位置使用扫描式电子显微镜(SEM)仪器确认电极处有静电造成破坏
