扫描电子显微镜可观察纳米级的显微结构

利用氧化镓与氧化钆混合氧化物为闸极的电晶体具有未被扎住的费米能
阶以及极佳的电子元件特性，较重要的关键在于成长初期所形成的磊晶氧化钆。

利用扫描穿透电子显微镜形成的高角度环状暗场影像观察出原子界面的结构，而
从显微结构也得出界面形成为了调节晶格不匹配性的界面错位差排。

除此之外，为了高??功率元件的应用，我们成长纳米级厚度的磊晶氧化钆薄
膜于氮化镓半导体上，令人感到有趣的相变化具伴随着膜的厚度而发生，当膜厚
超过三纳米厚度时会从六方晶系变化到单斜晶系，我们利用高空间解析度的电子
能量损失能谱与扫描穿透电子显微镜结合的方式去观察不同结构中电子能量损
失近边缘结构的差异

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