电子元件及电晶体尺寸快速测量工具显微镜

了解决电晶体尺寸快速微缩的问题，研发新颖的半导体材料通道技术成
为瞩目的发展技术，利用三五族半导体当通道材料可以比矽拥有更快速度以及更
高功率元件的应用。在这研究中，我们利用高解析电子显微镜以及Ｘ光绕射能分
析成长的三五族半导体上的高介电闸极氧化薄膜之微结构。

氧化铝/氧化镓与氧化钆混合氧化物成长于砷化铟镓/砷化镓组合的异质结
构，观察经过快速高温退火至850℃后之结构。发现砷化铟镓/砷化镓的界面尚未
释放应力具有很高的热稳定性，以及很好的电子元件特性，这对于未来自我对准
式反转通道增强型的金氧半场效电晶体的制备非常重要

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