测量方法特别用于分析金属薄膜的电阻率-显微镜常识

    应用与大试样相同的方法研究了退火薄膜的变化，即用金相
显微镜，X射线照相以及透射电子显微镜，并也广泛使用了某些
特殊方法。例如，电子图象可给出薄膜结构的信息。而电子物理学

测量方法特别用于分析金属薄膜的电阻率、磁性薄膜的磁性和
半导体薄膜中载流子的浓度和迁移率.选用的特殊分析方法取决

于薄膜的应用。此外，性能变化的分析给出缺陷的浓度和类型以
及其在回复和再结晶过程中的影响的有价值的资料。

    由于通过结晶获得的多品休薄膜的晶粒尺寸总是很小的(几
十~几百埃)。因此，薄膜再结晶的早期在X光射线照片上、甚
至在电子图象上常常不显示反射点。在这种情况下，再结晶的开
始可以通过伴随再结晶的薄膜织构的变化来确定。

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