显微镜测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料

    根据载流子俘获模型，这些结果是可以理解的。在低掺杂浓度下，高
电阻率是由于晶粒间界俘获了大部分载流子所引起的.随着掺杂浓度增加，
多数的俘获态将被填满.于是，晶粒间界俘获载流子的能力将接近饱和。

当注入的剂量进一步增加时，晶粒间界势垒将降低，正如所观察到的那样，
引起电阻率急骤地减小。掺杂浓度进一步墩加，将导致电阻率进一步降低，

接近单晶硅的电阻率。因为晶粒间界俘获软流子的数目限定了电导率，
所以对于晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料，电阻率和临界掺杂浓度
应较低。

    我们以前的工作,研究了LPCVD硅薄膜结构，指出在580℃下生长的LPCVD薄
膜开始是非晶态的，非常不稳定，甚至在中等沮度下退火也要迅速结晶。

   退火样晶的透射电子显微照片显示，开始呈非晶态的再结晶薄膜，同在
620℃下生长的开始呈多晶态作同样退火的薄膜相比，有较大的晶粒.基于这个
事实和上述模型，不同类型薄胶电性能的差异，可以直接地同每类薄膜的晶粒
大小联系起来.

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