集成电路的检验用立体显微镜-样品的制备特点

供显微镜检验用的半导体材料和器件的试样的准备过程。

    （显微镜和摄影装置。）准备过程又细分为两部分。一部分是关于
获得供观察的正确表面的技巧，另一部分是关于使所需要的细节变为可
见的腐蚀、染色和缀饰处理。

    还有许多其它方法，这些方法是利用电导率与磁感应强度特性来测
量金属薄膜厚度的。大部分方法适用于具有很大横向扩展的较厚薄膜。

    同时，也有使用电子背散射法和x 射线荧光法的。后者不需要依靠
金属的特性，但将它用于重元素时效果好，故

    一般适用于金属薄膜。x 射线探针法能在非常小的区域进行测量，
光束直径能够小到只有几微米，其灵敏程度可用来估计在100 埃范围内
Ni/Cr 薄膜的厚度。

    在晶体管和集成电路的检验工作中，截取的作用是显露表面以下的
区域，使金属交界面呈现出来，能够染色或腐蚀，以确定p-n 结或不同
的晶体完整性的区域。

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