金相分析图像显微镜镶,嵌试样和试样研磨技术的常识
垂直截取半导体材料可以用类似于磨角抛光的技术垂直地
.将一个大的试样研磨到预定的部位，所需的时间通常超过两小时.
在镶嵌试样时应将其一部分高出于嵌入器的顶端，加热嵌入器，并
在它平行于长轴的面上熔上一层粘结剂.将试样放在熔化的粘
结剂上，并压紧试样作圆周运动以驱除多余的气体和粘结剂，并
使之紧贴在嵌入器上.当嵌入器还是热的时候，把固定器倒置过来，
使固定器搁置在一块显微镜的盖玻片上，并使试样的边缘搁在支
承盖玻片的表面上.
这样，试样将比嵌入器的顶部表面高出相当于盖玻片的厚度.
这种使试样边缘平行于嵌入器边缘的固定也有助于抛光的进行.
为了不影响其后的抛光过程，必须除去试样顶部边缘及嵌入器顶
部表面上过多的粘结剂.用棉球和适当的溶剂是可以除去这些多
余的粘结剂的.由于抛光的表面积较大，使所需的抛光时间较长，
在抛光之前不妨先用1800#磨料研磨试样.磨料与水放在另一个
表面制备与抛光板相似的研磨板上，用手指搀合以使之均匀.如
所加的水太少，浆液太浓，研磨固定器就不容易在浆液中移动.如
浆液太薄，则单位时间内磨去物太少.正常的浆液(薄糖浆的浓
度)会随着半导体被磨掉而变色.这种浆液的变深是正常的，并能
指出何时应以一批新的浆液来代替.试样被研磨到显露出所需的
目标前就暂停.
