集成电路制造微加工质量检测工业立体显微镜
当一组光刻掩膜版提交给集成电路制造商时，微加工的过程
就开始了。光刻掩模版是所要制造的集成电路设计的物理表示，满
足一定的布局布线规则。硅晶圆提供了集成电路的基底。晶圆的加
工采用了磨削工艺，以产生平坦的表面，此时的晶圆仍具有导电性
。晶圆的绝缘通过在表面生成一层绝缘的热氧化物来实现。淀积的
导电层用于形成晶体管。在绝缘层和导电层淀积方面，已经开发了
若干种技术，例如溅射、基于磁控溅射的物理气相淀积、化学气相
淀积(CVD)，以及利用金属氧化物CVD、分子束外延和化学束外延等
方法实现的外延层生长。导电层被划分为单独的电阻。
利用光刻技术将独立的电阻淀积到晶圆上。要较终形成集成电
路还需要进一步的处理，在这步处理中，可运用诸如图形转移、刻
蚀、淀积和生长等工艺方法。正是这些方法，还被用来制作多种多
样的、由硅基材料构成的微米级产品，服务于集成电路之外的诸多
应用。
微米加工
集成电路制造传统上所采用的微米加工方法可以被归入机加丁下艺
标准微机械加工工艺流程。基本工艺操作：较初对衬底进行清洗，
运用多种淀积技术覆以薄膜，运用光刻技术在其上制作掩膜，以刻
蚀工艺来形成所需要的微米尺度的图形，用化学腐蚀或者等离子体
刻蚀除去掩膜材料，较终对所生成的结构进行特性测量。
微米尺度上的加工由添加、倍增和去除三个基本阶段构成。添
加阶段是在衬底材料上涂覆一层薄膜。这可以采用在衬底上电镀或
者向衬底喷涂一层液体膜并使之干燥的办法来实现；也可以通过氧
化或者在大气室内涂层来形成薄膜。其他的方法包括：以熔融键合
工艺将固体材料固定到衬底上，或者利用低压及高压真空技术来将
薄的涂层粘贴到衬底上。图形的倍增复制也具有多种形式，在制备
微米级尺寸结构特别是在制造微／纳米流体器件的管道状结构时是
必不可少的工艺步骤
