集成电路封装芯片模型制造质量检测工业显微镜
纳米尺度下的自组装是一种完全不同的制造方法。它利用分子和分
子间力来定义原子、纳米和微米结构。自组装依靠适当的方向和控制，
这些是在工艺的各个阶段由子单元或以积木的方式预编程所完成的，如
包含在子单元中的识别元素。晶体生长是一个精细的、大范围次序自组
装的范例。生存物种证明了具有交互功能的、复杂的三维结构是有可能
的。由上而下(光刻和图形转化)和由下而上(自组装)的方法结合在一起
为把当前的差距过渡到这些范例提供了一种方法。
这些不可调和的原材料问题来自于不同的设备和子系统的个体较优
化，还有在很小的比例上类似组装工艺到自动组装线。在这里，由上而
下(拾取和放置)和由下而上， 自组装激励方法(DNA辅助)都正处于大
量的调查研究中。
光刻技术和图形化
微电子、计算机、信息革命能够把它们的成功追溯到几个技术根源
上。晶体管集成为功能块——其进一步集成以形成微处理器、存储器和
其他ICs——是日益发展的多功能化的主要原因之一。减少线宽——目
前为130nm——能够将更多晶体管放在一个芯片上。增加晶片尺寸——
目前较高达到直径300mm，计划可以增加到400mm——可以同时生产更多
的芯片。集成电路高产量、大规模的批量生产降低了产品的成本，并且
增强了微电子产品的可靠性。在封装芯片之前无需组装个体部分已经成
为了微电子产品低成本和高产量的一个主要因素。微电子的巨大成功在
于拥有一亿个可靠的部件集成的高产量生产。有了纳米技术，更复杂的
集成都是有可能的。
生产集成电路有两个较基本的事情要做：必须做出模版，且必须通
过材料的沉淀或去除将其转换为工件。模版是由光刻技术来制作的。图
形转换包括一系列的工艺：将材料添加到晶片上，例如离子注入，或者
材料的去除，例如等离子刻蚀。辅助技术也被用来确保这种模型制造和
转换技术能够正常工作。通过化学机械抛光进行晶片的部分处理就是一
个例子。
目前，在生产复杂的IC时，要进行大约24次到30次光刻、曝光。每
一次光刻都需要多个工艺，包括：甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐
蚀和去胶。事实上，一个现代的集成电路大约需要200个工艺。今天，
较复杂的电路的掩模版装置要花费100万美元。在晶片上对准一个给定
的掩模版结构和曝光的系统需要花费1 000万美元。以后5年内的对准系
统的花费会将达到3 000万美元。
