晶圆制造样品厚度、晶向、微粒数实验图像显微镜

　　硅片的电阻率可从o．001 Ω·cm至20 000 Ω·cm不等。高电阻率
的硅有时可替代电介质基片而用做绝缘基片。绝缘体上的硅晶圆片提供
了较佳的双面加工途径：在两层硅中间的绝缘层(通常是二氧化硅)提供
了电绝缘，中间的氧化层可以作为停止层，这样两边的硅可以独立进行
加工。薄层可以从硅晶圆片表面取下，转移到另一块基片表面，这块基
片材料可为非硅材料。

　　硅片的直径有3英寸①，100mm，125mm，150 mm，200 mm和300 mm
。除了尺寸，晶圆片的技术指标还包含电阻率和掺杂类型、厚度及其误
差、晶向、微粒数等。

　　晶圆片可以是单晶、多晶或无定形态。硅、石英、砷化镓(GaAs)、
碳化硅(SiC)、铌酸锂(LiNb03)和蓝宝石(业03)是单晶基片的例子。多
晶硅在太阳能电池的生产上具有广泛的应用，薄膜晶体管可在钢基片上
制备。非晶基片也很普遍，如玻璃(金属氧化物，如Na20与si02混合)、
熔融二氧化硅(si02与石英化学分子相同)和氧化铝(鸽03)；其中，氧化
铝是通用的微波电路基片。塑料片也可用做基片。对于特殊的基片，必
须对其尺寸、纯度、光洁度、热稳定性和机械强度等进行评价。由于微
加工设备是从硅片工艺开发出来的，所以圆形基片比正方形和长方形基
片更易适应微加工工艺。