三相单层铝电极结构制造工艺样品检测金相显微镜
CCD的电极转移结构
较早的CCD转移电极是用金属铝制成的，随着CCD技术迅速发展
，到目前为止，常见的CCD转移结构已不下20种，但它们都必须满
足使电荷定向转移和相邻势阱耦合的基本要求。
三相CCD
若采用简单的对称电极，为了限定电荷转移的方向，至少需要
三相。对于某一确定时刻存有电荷的一个势阱来说，它的两个相邻
势阱中只有一个处于高电压，而另一个保持在低电压，以保证电荷
转移的方向是单一的。若有特殊需要，也可以添加几相，不过，一
般来讲，时钟脉冲相数目都保持在较小。三相CCD一般有以下几种
：
三相单层铝电极结构：它是在轻掺杂的硅衬底上先生成一层0
．1微米厚的氧化层，而后在氧化层上蒸发一层铝，采用光刻或阴
影腐蚀技术形成宽为2～3微米的空隙。这种结构虽然制造工艺简单
，但有一个明显的缺点，即电极间隙处氧化物直接裸露在周围环境
中，使得表面势不稳定，影响转移效率．因此这种结构很少在实用
器件中被采用。
三相电阻海结构：为了封闭电极结构，克服周围环境的影响，
采取的方法之一是引用硅栅结构。在氧化层上淀积一层连续的高阻
多晶硅，然后对电极区域进行选择掺杂，形成高阻与低阻相问的三
相电极图案。电极问互连和焊接区采用蒸发铝来实现。这种结构成
品率高，性能稳定，不易受到环境温度的影响，它的缺点是尺寸较
大，仅用于小型阵列器件。
三相交叠硅栅结构：三相交叠硅栅结构是常用的三相交叠电极
结构形式。它既可使得电极间隙极窄，又能得到封闭的电极结构j
三相交叠电极可以是多晶硅，也可以用金属铝，或者二种混用。先
在硅表面生成一层高质量的氧化物，然后沉淀二氧化硅和一层多晶
硅，在多晶硅上刻出第一组电极；再进行热氧化，形成一层氧化物
，而后沉淀多晶硅掺杂，并刻出第二组电极，以此类推，做出三相
电极。这是一种被广泛采用的结构，主要问题是制造工序较多，而
且必须防止层问短路。
