集成电路生产工艺光刻精细加工检测显微镜
基本工艺过程
集成电路的生产过程仅由相对较少的几个基本步骤组成。但这些
步骤可以在整个集成电路的生产中单独使用或几步组合后多次重复
使用。各单独的步骤如下：薄膜沉积；光刻(薄膜图形)；表面改性
(氧化，掺杂)；浊刻(薄膜去除)；
当集成电路制造于一个晶片上后，晶片被切成很多芯片。接下
来的过程可以用一个术语“封装技术”来定义，并带有下列副标题
：切片(把晶片切成芯片)；连接(芯片之间的电接触)；装外壳(集
成零件于系统中，封壳)。
薄膜沉积
薄膜沉积是较重要的过程，尤其与硅技术相关的过程将在下面
作简要的介绍。薄膜沉积对微型机构的影响将在第4章中洋细介绍
。
制作涂层
通常制作涂层的第一步是用光敏聚合物层覆盖晶片。聚合物层
借助于掩模进行曝光，然后显影。由于曝光改变了聚合物的溶解度
，所以已曝光的区域可以在接下来的显影过程中被一些显影剂选择
性地去除，掩模上所带有的结构信息可转换到聚合物薄膜上。在进
行显影和加热后，聚合物层可以充当模板，粘接到晶片表面上，聚
合物层可以阻止接下来的加工如蚀刻、掺杂或其他处理。因此，这
一聚合物层被称作抗蚀剂或光刻胶。
化学气相沉积(CVD)
较通用和较重要的涂层沉积技术是气相化学沉积。这种方法的
变异是低压化学气相沉积LPCVD和离子增强化学气相沉积技术PECVD
。
硅片盘可以被加热到1200℃
CVD方法的基本过程是把热态不稳定的气相化合物冷凝并沉积
到基体上。反应物分子裂解的临界能量既可以由加热的基体也可以
由气体放电的光能或电能供应。
