晶体结构失效分析的电子显微镜-电子元件检测

EoS失效分析——透射电子显微镜

    透射电子显微镜(TEM)是一个用于ESD失效分析的电子显微镜工
具一。TEM技术利用电子束轰击薄膜样品。与SEM使用散射电子不
同，TEM中电子会穿透样品。样品必须非常薄以允许电子束的传输
。TEM图像是电子通过样品并放大，然后聚焦在物镜上形成的，图
像出现在成像屏上。成像电子、显示器、胶片、传感器或CCD相机
用来存储图像。因为样品制备的困难，TEM分析是耗时而且困难的
；尽管困难，TEM还是用来评估ESD事件后材料性能的变化。例如，
互连薄膜和硅化薄膜的TEM分析展示了ESD应力后晶体结构的变化。

    EOS失效分析——电压对比工具

    有源电压对比(AVC)技术可以用来评估与“开路”和“短路”
相关的EOS失效机制。对于大型结构、链路和复杂互连，无源电压
对比(PVC)的作用很有限。AVC技术的一个优势是对比的提升，对较
大的缺陷和复杂电路的开路、短路或结构缺陷之间的区别更清晰。

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